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簡(jiǎn)要描述：美國(guó) AP TECH 鋯鎢 濺射 陰極聯(lián)系張經(jīng)理：I872I868549（微信同號(hào)）
產(chǎn)品型號(hào)：電子源廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2024-11-03訪 問(wèn) 量：66
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美國(guó) AP TECH 鋯鎢 濺射 陰極
美國(guó) AP TECH,電子源,鋯鎢 （ZrOW） 熱場(chǎng)發(fā)射器 （TFE）
熱場(chǎng)發(fā)射器 （TFE） 與熱電子發(fā)射器一樣被加熱，但也經(jīng)過(guò)電化學(xué)蝕刻，具有顯微鏡下鋒利，類似于冷場(chǎng)發(fā)射器的方式。
美國(guó) AP TECH 鋯鎢 濺射 陰極
由于發(fā)射器的清晰度及其在操作過(guò)程中指向抑制器的方向，在源會(huì)產(chǎn)生非常高的電場(chǎng)。
場(chǎng)對(duì)勢(shì)壘的降低以及通過(guò)加熱提供給電子的熱能產(chǎn)生了能夠在非交叉模式（或虛擬源模式）下運(yùn)行的源。因此，與熱離子發(fā)射器不同，TFE 不受空間電荷限制，并且比典型的熱離子源亮幾個(gè)數(shù)量級(jí)。
APT 現(xiàn)在提供鋯鎢熱場(chǎng)發(fā)射器 （ZrOW TFE），俗稱肖特基源。ZrOW TFE 是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射器，適用于需要高亮度、提高空間分辨率、穩(wěn)定發(fā)射和長(zhǎng)壽命的電子束應(yīng)用。
我們的 ZrOW 源符合一般 OEM 性能規(guī)格和操作參數(shù)，可以使用定制的端形（半徑）幾何形狀和任何發(fā)射極基座/抑制器配置（包括 FEI/Philips、Denka、Hitachi、JEOL 或定制配置）制造。
使用此圖表可比較我們的 TE、CFE 和 TFE 離子源的一般操作要求和性能規(guī)格
數(shù)十年的研究、開(kāi)發(fā)和電子源制造，AP TECH對(duì)電子發(fā)射物理學(xué)的深入了解使我們的商用熱敏、場(chǎng)發(fā)射和熱場(chǎng)發(fā)射陰極生產(chǎn)商，這些產(chǎn)品用于顯微鏡、微量分析、X 射線生成、光刻、增材制造或任何其他需要高亮度源的電子束應(yīng)用。
在熱離子狀態(tài)下工作的陰極被加熱到高溫。當(dāng)電子有足夠的熱能來(lái)克服制造陰極的材料的功函數(shù)時(shí)，就會(huì)發(fā)生發(fā)射。
Applied Physics Technologies的熱離子陰極由六硼化鑭（LaB6）和六硼化鈰（CeBix®）制成。LaB6和CeBix®都是低功函數(shù)材料，可生產(chǎn)相對(duì)高亮度的陰極，有適度的真空要求和較長(zhǎng)的保質(zhì)期。這些陰極在高達(dá)20A/cm2的電流密度下提供長(zhǎng)期、穩(wěn)定的操作，使其非常適合小光斑應(yīng)用，如SEM、TEM、電子束滅菌、表面分析和計(jì)量，以及大電流應(yīng)用，如x射線生成、光刻和增材制造。
在APT，我們?cè)趦?nèi)部種植和制造我們自己的高質(zhì)量單晶LaB6和CeBix®，使用一種生產(chǎn)商業(yè)上最純和低功函數(shù)材料的工藝。經(jīng)過(guò)精煉，我們的硼化物可以定制成各種形狀，具有不同的加熱、安裝和底座配置，所有這些都是為了滿足客戶的操作和性能要求而設(shè)計(jì)的。
由于功函數(shù)LaB6略低，CeBix®陰極在略低的工作溫度下產(chǎn)生更高的電流。因此，CeBix®光源的亮度略高，使用壽命更長(zhǎng)。APT是世界上的CeBix®陰極生產(chǎn)商。
Applied Physics Technologies還可以分別提供LaB6和CeBix®單晶棒和單晶盤(pán)。
使用此圖表可比較我們的 TE、CFE 和 TFE 離子源的一般操作要求和性能規(guī)格
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